Deuxième édition du Workshop franco-japonais sur l’intégration 3D [ja]

Le vendredi 24 février, un événement organisé à la Maison Franco-Japonaise a permis à des spécialistes français et japonais dans le domaine des matériaux, de l’optique, des nanotechnologies et de la microélectronique d’échanger sur leurs points de vue et leurs recherches portant sur les technologies dites « d’intégration 3D ».

L’industrie de la microélectronique est engagée depuis plus de cinquante ans dans une course en termes de coût de fabrication, de miniaturisation continue des composants électroniques et d’une augmentation des vitesses et des performances de ces derniers. Cependant, cette course atteint des limitations physiques qui remettent en question l’approche planaire utilisée jusqu’à aujourd’hui.

C’est ainsi qu’est apparu le concept d’intégration 3D, qui consiste à empiler des substrats de natures différentes, puis de les interconnecter électriquement à l’aide d’une connexion verticale traversant les couches de silicium. Cette approche permet de réduire les longueurs des interconnexions et d’augmenter les vitesses de communications entre les différents composants, entrainant des gains conséquents de performance et d’énergie.

Parmi les participants à ce workshop, des représentants du NIMS (National Institute for Materials Science), de l’AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), des Universités de Tokyo, Keio, de Kyushu et du Tohoku, ainsi que des intervenants issus de l’industrie (Olympus) étaient présents. Le CEA-Leti et ST Microelectronics représentaient le côté français.

Le workshop était organisé en une succession de présentations et de séances de question-réponse et s’est conclu par un débat puis une réception à l’Ambassade de France, qui était un des partenaires de l’événement aux côtés de la Maison franco-japonaise, du NIMS et du journal Nikkei.

dernière modification le 01/03/2017

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